Número do Produto do Fabricante:
HUF76409D3
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
HUF76409D3-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 18A (Tc) 49W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventário:
3600 Pcs Novo Original Em Estoque
12933254
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HUF76409D3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
485 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
49W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-HUF76409D3
FAIFSCHUF76409D3
Pacote padrão
592
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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