HUF76009P3
Número do Produto do Fabricante:

HUF76009P3

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

HUF76009P3-DG

Descrição:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 20A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventário:

7513 Pcs Novo Original Em Estoque
12933419
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

HUF76009P3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
UltraFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
470 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
41W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
HUF76009D3ST

Informação Adicional

Outros nomes
2156-HUF76009P3
FAIFSCHUF76009P3
Pacote padrão
523

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produtos Relacionados
fairchild-semiconductor

HUF76143S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

HUF76121S3

N-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

IPB100N04S2L-03ATMA2

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDN363N

N-CHANNEL POWER MOSFET