Número do Produto do Fabricante:
HUF75639S3ST
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
HUF75639S3ST-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
8245 Pcs Novo Original Em Estoque
12947317
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
HUF75639S3ST Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
UltraFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FAIFSCHUF75639S3ST
2156-HUF75639S3ST
Pacote padrão
235
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FDMC7660S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
PHB21N06LT,118
NOW NEXPERIA PHB21N06LT - 19A, 5
IRF6662TRPBF
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
