FQPF13N50C
Número do Produto do Fabricante:

FQPF13N50C

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

FQPF13N50C-DG

Descrição:

QFC 500V 480MOHM TO220F
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F

Inventário:

17000 Pcs Novo Original Em Estoque
12940925
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

FQPF13N50C Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Tube
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
48W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
FQPF1

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
2156-FQPF13N50C
ONSFSCFQPF13N50C
Pacote padrão
232

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SIHP068N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB

renesas-electronics-america

FS50KM-2#E52

DISCRETE / POWER MOSFET

vishay-siliconix

SIHG186N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC

vishay-siliconix

SIHB068N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK