FQP6N40C
Número do Produto do Fabricante:

FQP6N40C

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

FQP6N40C-DG

Descrição:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Descrição Detalhada:
N-Channel 400 V 6A (Tc) 73W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventário:

15675 Pcs Novo Original Em Estoque
12946586
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

FQP6N40C Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
400 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
625 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
73W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
2156-FQP6N40C
FAIFSCFQP6N40C
Pacote padrão
469

Classificação Ambiental e de Exportação

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
fairchild-semiconductor

FDMS7660

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

international-rectifier

IRF3709PBF

IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQP5N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FQPF8N80CYDTU

MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3