Número do Produto do Fabricante:
FQI12N60CTU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FQI12N60CTU-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 3.13W (Ta), 225W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventário:
2882 Pcs Novo Original Em Estoque
12817421
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FQI12N60CTU Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Tube
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2290 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.13W (Ta), 225W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262 (I2PAK)
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FAIFSCFQI12N60CTU
2156-FQI12N60CTU-FS
Pacote padrão
275
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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