Número do Produto do Fabricante:
FQAF33N10
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FQAF33N10-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 25.8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventário:
1396 Pcs Novo Original Em Estoque
12817581
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ENVIAR
FQAF33N10 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Tube
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 12.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PF
Pacote / Estojo
TO-3P-3 Full Pack
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FQAF33N10-FS
FAIFSCFQAF33N10
Pacote padrão
386
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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