Número do Produto do Fabricante:
FDU6N25
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDU6N25-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Descrição Detalhada:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventário:
17372 Pcs Novo Original Em Estoque
12946463
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FDU6N25 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
UniFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FDU6N25
FAIFSCFDU6N25
Pacote padrão
1,211
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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