Número do Produto do Fabricante:
FDS6900S
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDS6900S-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 6.9A (Ta), 8.2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
296790 Pcs Novo Original Em Estoque
12935061
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ENVIAR
FDS6900S Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.9A (Ta), 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 5V, 17nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
771pF @ 15V, 1238pF @ 15V
Potência - Máx.
900mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Número do produto base
FDS69
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FAIFSCFDS6900S
2156-FDS6900S
Pacote padrão
523
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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