Número do Produto do Fabricante:
FDS2170N3
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDS2170N3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventário:
2627 Pcs Novo Original Em Estoque
13077234
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FDS2170N3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Empacotamento
Bulk
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
128mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1292 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FDS2170N3-FSTR
FAIFSCFDS2170N3
Pacote padrão
145
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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