Número do Produto do Fabricante:
FDMS3669S
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDMS3669S-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/24A 8PQFN
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc) 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventário:
1778 Pcs Novo Original Em Estoque
12946399
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FDMS3669S Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V, 34nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V
Potência - Máx.
1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PQFN (5x6)
Número do produto base
FDMS3669
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
ONSFSCFDMS3669S
2156-FDMS3669S
Pacote padrão
352
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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