Número do Produto do Fabricante:
FDG311N
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDG311N-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventário:
65240 Pcs Novo Original Em Estoque
12946841
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FDG311N Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
270 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
750mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-88 (SC-70-6)
Pacote / Estojo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FDG311N
FAIFSCFDG311N
Pacote padrão
1,466
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
STE70NM60
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
IRFH7934TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
FDS8882
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
