Número do Produto do Fabricante:
FDD8882
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDD8882-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 12.6A (Ta), 55A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
11990 Pcs Novo Original Em Estoque
12946964
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ENVIAR
FDD8882 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12.6A (Ta), 55A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1260 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
55W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FDD8882
FAIFSCFDD8882
Pacote padrão
588
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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