Número do Produto do Fabricante:
FDD8878
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDD8878-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
30452 Pcs Novo Original Em Estoque
12947285
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FDD8878 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FAIFSCFDD8878
2156-FDD8878
Pacote padrão
611
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FQPF10N50CF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
RJK1535DPE-LE
40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
FDD8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1