Número do Produto do Fabricante:
FDA16N50LDTU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDA16N50LDTU-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN (L-Forming)
Inventário:
26720 Pcs Novo Original Em Estoque
12946889
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FDA16N50LDTU Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1945 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
205W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PN (L-Forming)
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FDA16N50LDTU
FAIFSCFDA16N50LDTU
Pacote padrão
190
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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