Número do Produto do Fabricante:
FCP25N60N-F102
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FCP25N60N-F102-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12979262
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FCP25N60N-F102 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
-
Série
SupreMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3352 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
216W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FCP25N60N-F102
ONSFSCFCP25N60N-F102
Pacote padrão
99
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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