Número do Produto do Fabricante:
FCP11N60N
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FCP11N60N-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 10.8A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
1700 Pcs Novo Original Em Estoque
12946050
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FCP11N60N Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
SupreMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1505 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
94W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FCP11N60N
FAIFSCFCP11N60N
Pacote padrão
173
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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