Número do Produto do Fabricante:
FCH041N65EFL4
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FCH041N65EFL4-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventário:
232 Pcs Novo Original Em Estoque
12946299
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FCH041N65EFL4 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
FRFET®, SuperFET® II
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 7.6mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
298 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12560 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
595W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FCH041N65EFL4
ONSFSCFCH041N65EFL4
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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