Número do Produto do Fabricante:
FCD900N60Z
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FCD900N60Z-DG
Descrição:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
1213 Pcs Novo Original Em Estoque
12946344
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FCD900N60Z Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
SuperFET® II
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
720 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
52W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
ONSONSFCD900N60Z
2156-FCD900N60Z
Pacote padrão
385
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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