ZXMN2A04DN8TA
Número do Produto do Fabricante:

ZXMN2A04DN8TA

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

ZXMN2A04DN8TA-DG

Descrição:

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SO

Inventário:

584 Pcs Novo Original Em Estoque
12904074
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ZXMN2A04DN8TA Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22.1nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1880pF @ 10V
Potência - Máx.
1.8W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Número do produto base
ZXMN2

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
ZXMN2A04DN8CT-NDR
ZXMN2A04DN8CT
ZXMN2A04DN8DKRINACTIVE
ZXMN2A04DN8TR
ZXMN2A04DN8DKR-DG
ZXMN2A04DN8TR-NDR
ZXMN2A04DN8DKR
Pacote padrão
500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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