Número do Produto do Fabricante:
DRDNB26W-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DRDNB26W-7-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363
Inventário:
12888772
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DRDNB26W-7 Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased + Diode
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
600 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
220 Ohms
Resistor - Base do Emissor (R2)
4.7 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
47 @ 50mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Frequência - Transição
200 MHz
Potência - Máx.
200 mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-363
Número do produto base
DRDNB26
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
DRDNB26W7
DRDNB26WDIDKR
DRDNB26WDITR
DRDNB26WDICT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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