Número do Produto do Fabricante:
DMT8012LFG-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMT8012LFG-7-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventário:
5045 Pcs Novo Original Em Estoque
12888737
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DMT8012LFG-7 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1949 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerDI3333-8
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
DMT8012
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
DMT8012LFG-7DICT
DMT8012LFG-7DIDKR
DMT8012LFG-7DITR
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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