Número do Produto do Fabricante:
DMT67M8LPSW-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMT67M8LPSW-13-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 17.3A (Ta), 82A (Tc) 2.8W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
Inventário:
4955 Pcs Novo Original Em Estoque
13270109
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DMT67M8LPSW-13 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17.3A (Ta), 82A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2130 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerDI5060-8 (Type Q)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
DMT67
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
31-DMT67M8LPSW-13CT
31-DMT67M8LPSW-13DKR
31-DMT67M8LPSW-13TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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