DMT64M1LPSW-13
Número do Produto do Fabricante:

DMT64M1LPSW-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMT64M1LPSW-13-DG

Descrição:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Descrição Detalhada:
N-Channel 65 V 21.8A (Ta), 81.7A (Tc) 3.14W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventário:

12987240
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

DMT64M1LPSW-13 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
65 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
21.8A (Ta), 81.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
51.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2626 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.14W (Ta), 44W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount, Wettable Flank
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerDI5060-8 (Type UX)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
31-DMT64M1LPSW-13TR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
diodes

DMN3066L-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

vishay-siliconix

SIS184LDN-T1-GE3

N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SIR5710DP-T1-RE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

diodes

DMN2024UQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1