DMT6012LPSW-13

Número do Produto do Fabricante:

DMT6012LPSW-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMT6012LPSW-13-DG

Descrição:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

Descrição Detalhada:

N-Channel 60 V 13.1A (Ta), 31.5A (Tc) 3.1W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventário:

RFQ Online

12978514

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DMT6012LPSW-13 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

60 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

13.1A (Ta), 31.5A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

2.5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

22.2 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1522 pF @ 30 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

3.1W (Ta), 17.9W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount, Wettable Flank

Pacote de dispositivos do fornecedor

PowerDI5060-8 (Type UX)

Pacote / Estojo

8-PowerTDFN

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes

31-DMT6012LPSW-13TR

Pacote padrão

2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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