Número do Produto do Fabricante:
DMT12H090LFDF4-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMT12H090LFDF4-7-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 115 V 3.4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6
Inventário:
13270096
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DMT12H090LFDF4-7 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
115 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
251 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
900mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
X2-DFN2020-6
Pacote / Estojo
6-PowerXDFN
Número do produto base
DMT12
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
31-DMT12H090LFDF4-7TR
31-DMT12H090LFDF4-7CT
31-DMT12H090LFDF4-7DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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