Número do Produto do Fabricante:
DMT10H9M9SH3
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMT10H9M9SH3-DG
Descrição:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO251 TUB
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 84A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-251
Inventário:
12979041
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DMT10H9M9SH3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
84A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2085 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251
Pacote / Estojo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número do produto base
DMT10
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
31-DMT10H9M9SH3
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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