DMT10H052LFDF-7
Número do Produto do Fabricante:

DMT10H052LFDF-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMT10H052LFDF-7-DG

Descrição:

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventário:

RFQ Online
12978749
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DMT10H052LFDF-7 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
258 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
800mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
U-DFN2020-6 (Type F)
Pacote / Estojo
6-UDFN Exposed Pad
Número do produto base
DMT10

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
DMT10H052LFDF

Informação Adicional

Outros nomes
31-DMT10H052LFDF-7TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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