Número do Produto do Fabricante:
DMT10H032LK3-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMT10H032LK3-13-DG
Descrição:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 26A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
12992704
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
DMT10H032LK3-13 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
683 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
DMT10
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
31-DMT10H032LK3-13
DMT10H032LK3
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
DMPH33M8SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
ISC030N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
ISZ330N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
