Número do Produto do Fabricante:
DMT10H025LSS-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMT10H025LSS-13-DG
Descrição:
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 7.1A (Ta) 1.3W (Ta), 12.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
Inventário:
12979095
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DMT10H025LSS-13 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1639 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
DMT10
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
31-DMT10H025LSS-13TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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