Número do Produto do Fabricante:
DMT10H015LFG-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMT10H015LFG-13-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 10A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventário:
3000 Pcs Novo Original Em Estoque
12884799
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DMT10H015LFG-13 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Ta), 42A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1871 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerDI3333-8
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
DMT10
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
31-DMT10H015LFG-13CT
DMT10H015LFG-13DI
DMT10H015LFG-13DI-DG
31-DMT10H015LFG-13DKR
31-DMT10H015LFG-13TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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