DMPH33M8SPSW-13
Número do Produto do Fabricante:

DMPH33M8SPSW-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMPH33M8SPSW-13-DG

Descrição:

MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 100A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)

Inventário:

13002718
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

DMPH33M8SPSW-13 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
127 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3775 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.7W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerDI5060-8 (Type Q)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
DMPH33

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
31-DMPH33M8SPSW-13
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
goford-semiconductor

GT100N04D3

MOSFET N-CH 40V 13A DFN3*3-8L

diodes

DMTH10H032LPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

nexperia

PSMN1R9-80SSEJ

APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE

infineon-technologies

IPTC017N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V