Número do Produto do Fabricante:
DMP65H11D0HSS-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMP65H11D0HSS-13-DG
Descrição:
MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Descrição Detalhada:
P-Channel 600 V 270mA (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventário:
13000614
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DMP65H11D0HSS-13 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
270mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 270mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.9W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
31-DMP65H11D0HSS-13TR
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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