Número do Produto do Fabricante:
DMNH6035SPDW-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMNH6035SPDW-13-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 60V 33A (Tc) 2.4W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type R)
Inventário:
12888802
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DMNH6035SPDW-13 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
879pF @ 25V
Potência - Máx.
2.4W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount, Wettable Flank
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerDI5060-8 (Type R)
Número do produto base
DMNH6035
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
DMNH6035SPDW-13DI-DG
31-DMNH6035SPDW-13TR
DMNH6035SPDW-13DI
31-DMNH6035SPDW-13CT
31-DMNH6035SPDW-13DKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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