Número do Produto do Fabricante:
DMN95H8D5HCT
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMN95H8D5HCT-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventário:
12949375
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DMN95H8D5HCT Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
950 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
470 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB (Type TH)
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
DMN95
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
DMN95H8D5HCT-DG
DMN95H8D5HCTDI
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTP2N100
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXTP2N100-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.24
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IXTP2R4N120P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
14
NÚMERO DA PEÇA
IXTP2R4N120P-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.25
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IXTP2N100P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
136
NÚMERO DA PEÇA
IXTP2N100P-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.49
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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