DMN3008SCP10-7
Número do Produto do Fabricante:

DMN3008SCP10-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMN3008SCP10-7-DG

Descrição:

MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 14.6A (Ta) 2.7W (Ta)

Inventário:

12895021
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

DMN3008SCP10-7 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
14.6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
31.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1476 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.7W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
-
Pacote de dispositivos do fornecedor
-
Pacote / Estojo
-
Número do produto base
DMN3008

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
diodes

DMTH10H025LK3-13

MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252

taiwan-semiconductor

TSM680P06CI C0G

MOSFET P-CH 60V 18A ITO220

diodes

DMP3007LSS-13

MOSFET P-CH 30V 14A 8SO T&R 2

taiwan-semiconductor

TSM4N70CH C5G

MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251