DMN29M9UFDF-13

Número do Produto do Fabricante:

DMN29M9UFDF-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMN29M9UFDF-13-DG

Descrição:

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-

Descrição Detalhada:

N-Channel 20 V 11A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventário:

RFQ Online

13000724

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DMN29M9UFDF-13 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

20 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

11A (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 5A, 4.5V

vgs(th) (máx) @ id

1.2V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

14.6 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±12V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

655 pF @ 8 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

1.2W (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

U-DFN2020-6 (Type F)

Pacote / Estojo

6-UDFN Exposed Pad

Número do produto base

DMN29

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes

31-DMN29M9UFDF-13TR

Pacote padrão

10,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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