Número do Produto do Fabricante:
DMN2014LHAB-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMN2014LHAB-7-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
Inventário:
2886 Pcs Novo Original Em Estoque
12888156
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DMN2014LHAB-7 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1550pF @ 10V
Potência - Máx.
800mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-UFDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos do fornecedor
U-DFN2030-6 (Type B)
Número do produto base
DMN2014
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
DMN2014LHAB-7DICT
DMN2014LHAB-7DITR
DMN2014LHAB-7DIDKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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