Número do Produto do Fabricante:
DMN10H099SFG-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMN10H099SFG-7-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventário:
1621 Pcs Novo Original Em Estoque
12883091
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DMN10H099SFG-7 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1172 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
980mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerDI3333-8
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
DMN10
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
DMN10H099SFG-7DICT
DMN10H099SFG-7DIDKR
DMN10H099SFG-7DITR
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
DMN10H099SFG-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
DMN10H099SFG-13-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.20
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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