DMN1032UCB4-7
Número do Produto do Fabricante:

DMN1032UCB4-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMN1032UCB4-7-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 12 V 4.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4

Inventário:

12887394
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DMN1032UCB4-7 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
450 pF @ 6 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
900mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
U-WLB1010-4
Pacote / Estojo
4-UFBGA, WLBGA
Número do produto base
DMN1032

Informação Adicional

Outros nomes
DMN1032UCB4-7DIDKR
DMN1032UCB4-7DICT
DMN1032UCB4-7DITR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
PMCM6501VNEZ
FABRICANTE
NXP USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2022638
NÚMERO DA PEÇA
PMCM6501VNEZ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.19
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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