Número do Produto do Fabricante:
DMN1019USN-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMN1019USN-7-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Descrição Detalhada:
N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Inventário:
6772 Pcs Novo Original Em Estoque
12888562
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DMN1019USN-7 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
800mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2426 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
680mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-59-3
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
DMN1019
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
DMN1019USN-7DICT
DMN1019USN-7DIDKR
DMN1019USN-7DITR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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