Número do Produto do Fabricante:
DMJ70H1D3SK3-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMJ70H1D3SK3-13-DG
Descrição:
MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&
Descrição Detalhada:
N-Channel 700 V 4.7A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
12979230
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DMJ70H1D3SK3-13 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
264 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
57W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
DMJ70
Informação Adicional
Outros nomes
31-DMJ70H1D3SK3-13TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STD7NM80
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4929
NÚMERO DA PEÇA
STD7NM80-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.69
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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