Número do Produto do Fabricante:
CGD65A055S2-T07
Product Overview
Fabricante:
Cambridge GaN Devices
DiGi Electronics Número da Peça:
CGD65A055S2-T07-DG
Descrição:
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Descrição Detalhada:
650 V 27A (Tc) Surface Mount 16-DFN (8x8)
Inventário:
764 Pcs Novo Original Em Estoque
13002419
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CGD65A055S2-T07 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Cambridge GaN Devices
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
ICeGaN™
Status do produto
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 2.2A, 12V
vgs(th) (máx) @ id
4.2V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 12 V
Vgs (máx.)
+20V, -1V
Recurso FET
Current Sensing
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
16-DFN (8x8)
Pacote / Estojo
16-PowerVDFN
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
4768-CGD65A055S2-T07CT
4768-CGD65A055S2-T07TR
4768-CGD65A055S2-T07DKR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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