AOWF12N60
Número do Produto do Fabricante:

AOWF12N60

Product Overview

Fabricante:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

AOWF12N60-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-262F

Inventário:

12848788
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AOWF12N60 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2100 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
28W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262F
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
AOWF12

Folha de Dados & Documentos

Desenhos do produto
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
5202-AOWF12N60
Pacote padrão
1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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