Número do Produto do Fabricante:
AOW12N65
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
AOW12N65-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 12A TO262
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-262
Inventário:
12849607
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AOW12N65 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
720mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2150 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
278W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
AOW12
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
5202-AOW12N65
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFSL9N60APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
900
NÚMERO DA PEÇA
IRFSL9N60APBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.21
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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