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Perguntas Frequentes
Número do Produto do Fabricante:
AOV11S60
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
AOV11S60-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 650MA/8A 4DFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)
Inventário:
RFQ Online
12849214
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ENVIAR
AOV11S60 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
aMOS™
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
650mA (Ta), 8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
545 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
8.3W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-DFN (8x8)
Pacote / Estojo
4-PowerTSFN
Número do produto base
AOV11
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
AOV11S60
Folha de Dados HTML
AOV11S60-DG
Informação Adicional
Outros nomes
785-1683-6
785-1683-2
5202-AOV11S60TR
785-1683-1
Pacote padrão
3,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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