Número do Produto do Fabricante:
AOTF3N100
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
AOTF3N100-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 2.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventário:
12849636
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AOTF3N100 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
830 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
AOTF3
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
5202-AOTF3N100
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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