AOT66518L
Número do Produto do Fabricante:

AOT66518L

Product Overview

Fabricante:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

AOT66518L-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 150V 30A/120A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 30A (Ta), 120A (Tc) 10W (Ta), 375W (Tc) Through Hole TO-220

Inventário:

941 Pcs Novo Original Em Estoque
13003802
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AOT66518L Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
AlphaSGT™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Ta), 120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.7V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6460 pF @ 75 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
10W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
AOT66518

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
785-AOT66518LDKR
785-AOT66518LCT
785-AOT66518LDKRINACTIVE
785-AOT66518LTR
785-AOT66518LDKR-DG
Pacote padrão
1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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