Número do Produto do Fabricante:
AOI2210
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
AOI2210-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 3A/18A TO251A
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 3A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-251A
Inventário:
12845274
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
AOI2210 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A (Ta), 18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2065 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251A
Pacote / Estojo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número do produto base
AOI22
Folha de Dados & Documentos
Desenhos do produto
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
AOI2210-DG
5202-AOI2210
785-1708-5
Pacote padrão
3,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK7Q60W,S1VQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
75
NÚMERO DA PEÇA
TK7Q60W,S1VQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.81
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
