Número do Produto do Fabricante:
AOI1N60L
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
AOI1N60L-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251A
Inventário:
12848312
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AOI1N60L Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
160 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de operação
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251A
Pacote / Estojo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número do produto base
AOI1
Folha de Dados & Documentos
Desenhos do produto
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
AOI1N60L-DG
785-1536-5
Pacote padrão
70
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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